Dépôt en couche atomique assisté par plasma

Notre client avait besoin d'une solution de dépôt de couches atomiques pour traiter des pièces tridimensionnelles soumises à des contraintes thermiques. Découvrez comment nous l'avons aidé à développer son procédé ALD avec nos solutions plasma micro-ondes.

Ancien processus

Notre client est une société spécialisée dans la conception d'équipements de dépôt en phase vapeur. Son procédé ALD thermique habituel a été conçu pour réaliser des dépôts uniquement à haute température (300 à 400 °C).

 

Mais ce client avait une demande croissante de dépôt sur des substrats tridimensionnels sur lesquels le budget thermique était limité. Il avait besoin d'un procédé ALD amélioré pour répondre à ces nouvelles demandes.

Solution proposée

Afin de surmonter les deux contraintes, le traitement sur des pièces tridimensionnelles et les contraintes thermiques, nous lui avons proposé de changer son procédé ALD thermique en PE-ALD (plasma enhanced atomic layer deposition).

 

Nous l'avons aidé à intégrer nos Aura-Wave sources de plasma micro-ondes dans son équipement, ce qui lui a permis d'obtenir des propriétés de dépôt similaires à celles de son procédé précédent, à température ambiante.

 

En outre, nos sources de plasma ont été intégrées à ses équipements de telle sorte qu'il n'y a pas d'effet d'ombre, ce qui lui permet également de traiter des pièces tridimensionnelles.

Principaux avantages

  • Faible budget thermique : processus possible à température ambiante
  • Optimisation du temps de cycle : réduction du temps de cycle grâce au plasma
  • Traitement des pièces en 3D : Facilité d'intégration car source ponctuelle
  • Qualité : densité du film améliorée grâce au procédé plasma
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