干式蚀刻的微波等离子体

主要原则

今天，大尺寸的均匀等离子体工艺，而且通常需要强大的离子辅助，对于蚀刻工艺，如RIE（活性离子蚀刻）、深层蚀刻或抗蚀剂去除是至关重要的。这些要求刺激了统一的等离子体源的发展，它具有高的等离子体密度，而且能够提供高浓度的活性物质。

微波等离子体源在产生高密度反应性物种方面的性能是众所周知的，但由于在工业过程中难以实施，所以往往被认为是次要的。这种源往往需要一个难以自动化的阻抗适应系统。

我们独有的 等离子体源

此外，为了克服限制波传播的临界密度而产生大量的等离子体，必须明智地分配等离子体源。这对控制传送到每个源的功率增加了一个强有力的约束。

为了克服这些限制，我们开发了两个创新的自匹配等离子体源，与2.45 GHz固态发生器一起工作。 Aura-Wave和 Hi-Wave.

Aura-WaveECR等离子体源

Aura-Wave 是一个电子回旋共振的同轴等离子体源。它被设计成一旦等离子体被点燃就能自我适应。由于电子回旋共振的作用，磁场与电磁波相结合，可以在低压下产生等离子体。Aura-Wave 源已被设计为在数十年的压力下和从几瓦特开始维持微波等离子体，不管是什么气体。

同样，同轴等离子体源的设计是为了避免内部功率损失，并且已经证明是匹配的，即在2至3个压力十年内没有反射功率，没有额外的阻抗匹配系统，这取决于等离子体气体。

该源使其有可能在距离源10厘米处的多源配置中达到几¹⁰¹¹cm^-3 的等离子体密度。在我们的Aura-Wave ECR微波等离子体源上找到我们最新的研究结果。 这里!

Hi-Wave对撞等离子体源

Hi-Wave 碰撞同轴等离子体源的设计是为了避免内部功率损失，并被证明是匹配的，即没有反射功率，没有额外的阻抗匹配系统超过1个压力十年，这取决于等离子体气体。在距离源平面10厘米的多源配置中，可以实现大于¹⁰¹²cm^-3的等离子体密度。

当与我们的固态微波发生器相结合时，就有可能逐瓦控制传输到等离子体的功率。通过独立控制每个源的功率，我们的技术消除了所有限制。由于固态发生器的可变频率，工作条件中可能出现的低失配可以得到平衡，从而扩大了Hi-Wave 的工作条件范围。它被设计为同样用于工业系统中的非常大的应用范围。

准备整合

我们的OEM微波等离子体解决方案紧凑、可靠，并采用工业化设计，很容易集成到您自己的设备中。我们的专家将在流程的每个阶段为您提供支持，通过进行广泛的模拟，优化您的流程。

我们在微波和等离子体系统开发方面有多年的经验。选择SAIREM，您将依靠一个自始至终拥有强大研发能力、高度灵活性和支持文化的合作伙伴。