碰撞性微波等离子体源

大尺寸的均匀等离子体过程，而且往往需要强大的离子辅助，是处理大型表面的关键。

保罗BODART

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主要原则

通常情况下，均匀的等离子体在大尺寸上进行处理，并且最常需要强大的离子辅助。它们对于需要越来越高的蚀刻或沉积速率的工业规模的表面处理至关重要，如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或 深度蚀刻.

这些要求刺激了高密度的均匀等离子体源的发展，此外，它还能够提供高浓度的活性物质。

此外，为了克服限制波传播的临界密度而产生大量的等离子体，必须明智地分配等离子体源。这对控制传送到每个源的功率增加了一个强有力的约束。

为了克服这些限制，我们已经开发了两个创新的自匹配等离子体源，与2,45 GHz固态发生器一起工作，Hi-Wave 。我们的源的创新设计，与我们的固态发生器（专利的自动调整算法）相关联，可以防止源内的功率损失，并允许在广泛的工作条件下相当的自我匹配，而不需要任何阻抗匹配系统。

Hi-Wave 是一个碰撞型微波等离子体源，可以在10^-2到1mbar（1Pa到100Pa）的范围内运行。因此，它打算在没有磁铁的情况下在碰撞制度下运行。

对于大多数气体，在多源配置下，工作距离为10厘米，可以实现大于10¹²厘米^-3的等离子体密度。

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