微波等离子体 用于薄膜沉积

在进行PEALD、PECVD或PVD工艺时,大尺寸的均匀等离子体工艺对工业规模的表面处理至关重要。

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主要原则

通常情况下,均匀等离子体是在大尺寸上进行处理的,而且通常需要强大的离子辅助。它们对于需要更高蚀刻或沉积速率的工业规模的表面处理是必不可少的,如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。 深蚀.这些要求刺激了高密度的均匀等离子体源的发展,而且能够提供高浓度的活性物质

 

微波等离子体源在创造高密度反应物方面的性能是众所周知的。但由于在工业过程中难以实施,它们往往被认为是次要的,因为它们大多需要一个难以自动化的阻抗适应系统。

为什么使用我们的等离子体源?

此外,为了通过克服限制波的传播的临界密度来创造大体积的等离子体,有必要明智地分配等离子体源。

 

为了克服这些限制,我们开发了两个创新的自匹配等离子体源,与2,45GHz固态发生器一起工作。 Aura-WaveHi-Wave.我们的解决方案占地面积小,可以创建一个等离子体源阵列,没有规模限制。

 

在传统的射频或MW等离子体源上,缺乏均匀性,特别是在边缘。通过独立控制每个源的功率,我们的固态发生器技术消除了所有这些限制,适用于任何尺寸的基材。

无限的等离子体表面

使用Aura-wave 和Hi-wave 矩阵配置的等离子体源,你可以设置无限的组合可能性。

  • 排列式安排
  • 循环安排
  • 矩阵排列
  • 三维排列

 

这允许开发具有高等离子体密度和良好均匀性的大规模工艺。

Aura-Wave ECR等离子体源

Aura-Wave 是一个电子回旋共振的同轴等离子体源。它被设计成一旦等离子体被点燃就能自我适应。由于电子回旋共振的作用,磁场与电磁波相结合,可以在低压下产生等离子体。Aura-Wave 源已被设计为在几十年的压力下,从几瓦起就能维持微波等离子体,不管是什么气体。

 

该源使大多数气体在距离源平面10厘米处的多源配置中,有可能达到10 11厘米-3的等离子体密度。

 

查找我们在Aura-Wave ECR微波等离子体源上的最新研究。 这里!

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Hi-Wave 对撞等离子体源

Hi-Wave 碰撞同轴等离子体源的设计是为了避免内部功率损失,并被证明是匹配的,即没有反射功率,没有额外的阻抗匹配系统超过1个压力十年,这取决于等离子体气体。

 

Hi-Wave 是一个碰撞型的微波等离子体源,因此打算在没有磁铁的情况下在碰撞制度下运行。

 

在距源平面10厘米处的多源配置中,大多数气体的等离子体密度可以达到大于1012cm-3

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准备 整合

我们的OEM微波等离子体解决方案紧凑、可靠,并采用工业化设计,很容易集成到您自己的设备中。我们的专家将在流程的每个阶段为您提供支持,通过进行广泛的模拟,优化您的流程。

 

我们在微波和等离子体系统开发方面有多年的经验。选择SAIREM,您将依靠一个自始至终拥有强大的研发、支持文化和高度灵活性的合作伙伴。

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