等离子体辅助原子层沉积

我们的客户需要一个原子层沉积的解决方案来加工具有热应力的三维零件。了解我们如何利用我们的微波等离子体解决方案帮助他发展其ALD工艺。

原有流程

我们的客户是一家专门从事蒸镀设备设计的公司。其通常的热ALD工艺被设计为只在高温(300至400℃)下产生沉积物。

 

但是这位客户对三维基底的沉积要求越来越高,而热预算是有限的。他需要一个改进的ALD工艺来满足这些新要求。

提供的解决方案

为了克服这两个限制,即对三维部件的处理和热应力,我们向他提出将他的热ALD工艺改为PE-ALD(等离子体增强原子层沉积)。

 

我们支持他将我们的 Aura-Wave微波等离子体源到他的设备中,使他能够在室温下获得与他以前的工艺类似的沉积特性。

 

此外,我们的等离子体源已被集成在其设备上,没有阴影效应,使他也能加工三维零件。

主要好处

  • 低热预算:可在室温下加工
  • 循环时间的优化:利用等离子体减少循环时间
  • 三维零件的加工。易于整合,因为点源
  • 质量:由于采用了等离子体工艺,提高了薄膜密度
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